製品情報シリコン深掘り装置

シリコン深掘り装置の特徴

　シリコン深掘り装置は、ボッシュプロセス（Bosch Process）の特許をライセンス導入して開発したシリコン（Si）深掘り専用のICPドライエッチング装置です。
　ボッシュプロセスとは、①Siの等方性エッチング、②保護膜の堆積、③Siの異方性エッチング（底面の保護膜の除去）の3つのステップを繰り返すことで、シリコンの垂直な深掘りを高速かつ高アスペクト比で実現したドライエッチング技術です。エッチングにはSF₆、保護膜にはC₄F₈が主に使用され、高い選択比を保持しつつ、高異方性のエッチングを可能にしています。

2003年にボッシュプロセス技術を取得
ドイツのRobert Bosch GmbH社によって1992年に開発されたボッシュプロセスのライセンスを、2003年にサムコは日本の半導体製造装置メーカーで初めて取得しました。

ボッシュプロセスは、加速度センサー、ジャイロセンサー等のMEMS分野、3次元パッケージなどに用いられるTSV（Si貫通ビア形成）、インクジェットプリンターヘッド、Siパワーデバイス、μTAS等の医療機器分野など幅広く使用されています。