ICPエッチング装置
放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を採用しており、高密度プラズマを安定して生成し、高精度の加工が可能です。
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ICPエッチング装置 RIE-400iP
化合物半導体加工用
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ICPエッチング装置 RIE-400iPC
小径ウエハー用カセット装置
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ICPエッチング装置 RIE-800iP
フラッグシップモデル
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ICPエッチング装置 RIE-800iPC
生産用フラッグシップモデル
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ICPエッチング装置 RIE-230iP
実績豊富な汎用装置
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ICPエッチング装置 RIE-230iPC
トレイ搬送生産装置
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ICPエッチング装置 RIE-150HiC
大気搬送カセット装置
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ICPエッチング装置 RIE-350iPC
ウエハ多数枚同時処理
シリコン深掘り装置
シリコン（Si）の高速かつ高異方性の深掘りが可能な、ボッシュプロセス対応の装置です。
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Si深掘り装置 RIE-802BCT
反応室を2室備えた生産機
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Si深掘り装置 RIE-800BCT
世界最高レベルの生産用装置
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Si深掘り装置 RIE-800iPB
最大ø8"対応のLL式装置
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Si深掘り装置 RIE-400iPB
最大ø4"対応のR&D装置
RIE装置
創業当時から培ってきた豊富な経験と実績をもとに開発した平行平板型RIE（反応性イオンエッチング）装置です。
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平行平板型RIE装置 RIE-10NR
豊富な納入実績を誇る汎用機
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平行平板型RIE装置 RIE-200NL
塩素対応のロードロック式装置
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平行平板型RIE装置 RIE-200C
高速大気搬送のカセット装置
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平行平板型RIE装置 RIE-300NR
ø300mm対応RIE装置
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コンパクトエッチャ― FA-1
コンパクトな卓上型装置
XeF2ドライエッチング
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XeF2ドライエッチング装置 VPE-4F
コンパクトな卓上型装置
