プラズマCVD装置 PD-2201LC
生産用プラズマCVD装置

概要

PD-2201LCは、SiO₂やSiNxなどのシリコン系薄膜を成膜するプラズマCVD装置です。本装置は真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた生産用装置です。従来の13.56 MHzのプロセスに加え、400 kHzを重畳した二周波プロセスに対応しており、膜応力を効果的に制御できます。SiH4系だけでなく、TEOSやSN-2などの液体原料を用いた成膜も可能です。本装置は化合物半導体や電子部品の製造において、高い信頼性を誇る装置であり、多くの納入実績を有しています。

特長

  • シンプルな反応室構造により信頼性が高くメンテナンスが容易
  • 電極サイズや内部部材の工夫により安定したプラズマを生成
  • 四方向排気構造による対称なガスフローにより良好な均一性を実現
  • 試料搬送に連動した防着板昇降機構によりプラズマを閉じ込め良好な均一性を実現
  • ø8インチまでのウエハー直接搬送処理、小径ウエハーの多数枚同時処理が可能

応用例

  • SiH4-SiO2
  • SiH4-SiN
  • TEOS-SiO2
  • 液体原料SN-2-SiN

オプション

  • 2周波（13.56 MHz + 400 kHz）やVHF（27、40、60 MHz）プロセスに対応
  • 液体原料のTEOSによるSiO2成膜およびSN-2によるSiNx成膜に対応
  • トレイ搬送による小径ウエハーの多数枚同時成膜が可能（ø2” x 9枚、ø3” x 5枚、ø4” x 3枚）
  • 大気カセット室に対応

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