製品情報プラズマCVD装置

プラズマCVD装置の特徴

プラズマCVD(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition = プラズマ励起化学気相成膜)は、反応性ガスをプラズマ状態にし、活性なラジカルやイオンを生成して、対象となる基板上で化学反応を起こし、堆積させて薄膜を形成する手法です。化合物半導体やシリコン半導体の製造プロセスでの、パッシベーション膜としてのシリコン窒化膜(SiN)や層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜(SiO₂)を成膜するのに用いられます。

• MERIT 1低温

  プラズマにより原料ガスを分解するため、成膜温度を低く抑えられます。

• MERIT 2段差被覆性(ステップカバレージ)

  PVD(物理的気相成膜)法に比べ、アスペクト比の高い溝や孔へ、被覆性よく成膜できます。

• MERIT 3膜質制御性

  原料の種類や組成比を変えることで、膜の特性(屈折率、応力、絶縁性、ウェット耐性など)を制御できます。