製品情報LSCVD®装置 PD-330STC

PD-330STCは、TSV（Si貫通ビア）用に開発した絶縁膜形成用プラズマCVD装置です。実績豊富なPD-270STシリーズをø300mm シリコンウエハ用に改造した大面積基板対応機で、液体ソースのTEOSを原料として良質なSiO₂膜を低温で成膜することが可能です。独自開発したカソードカップリング方式を採用することで、3次元LSIのTSV形成プロセスにおいて、高アスペクト比のビアホール側壁にカバレージ性に優れたTEOS-SiO₂膜を成膜できます。

ø300mmウエハへの成膜
良好な面内均一性と安定性に優れた成膜が可能です。

高速成膜とストレス制御
独自のカソードカップリング法の採用により高速（100nm/min以上）かつ低ストレスの成膜が可能です。

低温成膜
80℃～の低温成膜が可能で、プラスチック上へも成膜できます。

ステップカバレージに優れた成膜
液体ソースのTEOSを用いるLSCVD®法によりステップカバレージと埋め込み特性に優れた成膜が可能です。

TSVの側壁絶縁膜形成
3次元LSIでの貫通ビア形成プロセスにおける側壁への絶縁膜形成