製品情報LSCVD®装置 PD-100ST

PD-100STは、液体原料のTEOSによるシリコン酸化膜（SiO₂）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。独自のセルフバイアス法により高品質のシリコン酸化膜を薄膜から厚膜まで低ストレスで成膜できます。ø4 inch に対応した研究開発用装置です。

コンパクト設計

ø4 inch までの小径ウエハ専用のため、コンパクトな装置設計で、省スペースに設置できます。

高速成膜とストレス制御

独自のセルフバイアス法の採用により、100nm/min以上の高速かつ低ストレスでの成膜が可能です。

低温成膜

80℃～の低温成膜が可能です。

ステップカバレージに優れた成膜

液体ソースのTEOSを用いるLSCVD®法によりステップカバレージと埋め込み特性に優れた成膜が可能です。

屈折率の制御

Ge、P、Bの液体ソースを添加することで屈折率の制御が可能です。

・SAWデバイスの温度補償膜、パッシベーション膜

・MEMSのマスクおよび酸化膜犠牲層

・3次元パッケージにおけるTSV（Si貫通ビア）側壁の絶縁膜

・光導波路のコア層、クラッド層形成