製品情報ALD装置 AL-1

本装置はAtomic Layer Deposition（ALD: 原子層堆積）法を用いたナノレベルの薄膜形成装置です。有機金属原料と酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜することで、高い膜厚制御性と優れたステップカバレッジを実現します。成膜には下部ステージの加熱を利用したサーマルALD法を採用しています。ø8インチウエハの成膜やø4インチウエハ3枚同時成膜も可能です。

• 数十msecオーダーのパルス供給することで原料のロスを減らし、成膜効率を向上しています。
• 反応室内壁に密着するインナーウォールヒーターが反応室内の温度ムラを抑えます。
• 複数の原料ガスが混合しないよう内部構造を工夫しているため、パーティクルの発生を防ぎ、ピンホールのない膜が成膜できます。

• 次世代パワーデバイスのゲート酸化膜、パッシベーション膜
• MEMS等の3次元構造体への均一な成膜
• レーザー共振器端面への成膜
• カーボンナノチューブの保護膜

• プラズマユニット（13.56 MHz）の追加
• グローブボックス対応