製品情報プラズマALD装置 AD-800LP

本装置はAtomic Layer Deposition（ALD: 原子層堆積）法を用いたナノレベルの薄膜形成装置です。有機金属原料と酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜することで、高い膜厚制御性と優れたステップカバレッジを実現します。成膜には下部ステージの加熱を利用したサーマルALD法と当社独自のICPソースを用いたプラズマALD法を採用しており、酸化膜や窒化膜、さらには導電性膜まで多様な膜種が成膜可能です。

また、本装置はロードロック室を備えており、反応室を大気開放することなく再現性に優れた成膜が可能です。トレイ搬送により、ø8インチウエハの成膜やø4インチウエハ3枚同時成膜も可能です。

• 原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能です。
• 高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能です。
• 面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現します。
• 原料のガスライン、ガスフローを最適化した独自の反応室構造により、パーティクルを抑制します。
• コンパクトな反応室により、ガスのパージ時間を短くし、プロセス時間を短縮しています。

• 窒化膜、酸化膜、導電膜の成膜
• AlOx, AlN, SiO2, SiN, TiO2, TiN, HfO, HfN, ZrO, SnO, SnN, ZnOなど（その他膜種も対応可能）
• 電子デバイスのゲート絶縁膜
• 半導体・有機EL等のパッシベーション膜
• 半導体レーザーの反射面
• MEMSなど3次元構造への成膜
• グラフェンへの成膜
• カーボンナノチューブの保護膜粉体のコーティング

• オゾナイザー