ALD装置
ALD（Atomic Layer Deposition:原子層堆積）は反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜する装置です。
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プラズマALD装置 AD-800LP
多種多様な膜種の成膜が可能
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ALD装置 AL-1
ナノレベルの膜厚制御が可能
プラズマCVD装置
化合物半導体やシリコン半導体の製造プロセスでの絶縁膜、パッシベーション膜の形成を目的としたプラズマを用いたCVD装置です。
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プラズマCVD装置 PD-220NL
ロードロック式研究開発用装置
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プラズマCVD装置 PD-2201LC
実績多数の生産用装置
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プラズマCVD装置 PD-3800L
ウエハ多数枚処理装置
液体ソースCVD®装置
TEOS-SiO2（シリコン酸化膜）やLiquid Source SiN（シリコン窒化膜）形成用の装置です。
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LSCVD®装置 PD-200STL
ø8"対応のR&D装置
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LSCVD®装置 PD-270STLC
カセット対応の量産装置
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LSCVD®装置 PD-330STC
ø300mmウエハ対応装置
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LSCVD®装置 PD-100ST
ø4"対応のR&D装置
