製品紹介
CVD装置
化合物半導体やシリコンプロセスでの絶縁膜、パッシベーション膜の形成を目的としたCVD装置です。原子層レベルから数十マイクロメートルレベルの成膜まで装置をラインナップしています。
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ALD装置
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜する装置です。
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プラズマCVD装置
化合物半導体やシリコン半導体の製造プロセスでの絶縁膜、パッシベーション膜の形成を目的としたプラズマを用いたCVD装置です。
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液体ソースCVD®装置
TEOS-SiO2(シリコン酸化膜)やLiquid Source SiN(シリコン窒化膜)形成用の装置です。
ドライエッチング装置
高周波により発生させたプラズマを用いて基板表面を微細加工する装置です。プラズマ中のイオンとラジカルの相乗効果によって、異方性に優れたエッチングが可能です。
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ICPエッチング装置
放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用しており、高密度プラズマを安定して生成し、高精度の加工が可能です。
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シリコン深掘り装置
シリコン(Si)の高速かつ高異方性の深掘りが可能な、ボッシュプロセス対応の装置です。
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RIE装置
創業当時から培ってきた豊富な経験と実績をもとに開発した平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置です。
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XeF2ドライエッチング
ドライ洗浄装置
溶液を用いたウエット洗浄処理を行わないドライ方式の洗浄装置です。プラズマクリーナーとUVオゾンクリーナーの2種類をラインナップしています。
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Aqua Plasma®
Aqua Plasma® クリーナーは主に水蒸気(H2O)を用いたプラズマ処理装置です。金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、樹脂接合、超親水化などの表面処理を、安全で環境に優しく行うことができます。
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プラズマクリーナー
各種半導体、電子デバイス表面のクリーニングや改質、レジストのアッシングなどを目的とした平行平板型プラズマクリーナーです。
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UVオゾンクリーナー
「紫外線照射」、「高濃度オゾン」、「ステージヒーターによる熱」の相互作用で、シリコンウエハなどの基板や電極のクリーニングを行う、各種半導体、電子デバイス製造のためのドライ洗浄装置です。