Technical-Report
2024年
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[2024.October]
トレンチ型SiC MOSFETの実現に向けたICPエッチング技術
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[2024.July]
Aqua Plasma® による金の表面処理
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[2024.April]
プラズマCVD装置「PD-220シリーズ」の長期プロセス安定性の紹介
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[2024.January]
革新生む新プラズマ源「HSTC-M™」搭載、SiC/GaNパワーデバイス向け最大8インチ用ICPエッチング機構の紹介
2023年
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[2023.October]
3室CVD装置「PD-2203LC」の紹介
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[2023.July]
GaN系パワーデバイスの素子分離加工
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[2023.April]
還元性能をさらに向上、Aqua Plasma Boost® AQ-2000BTの紹介
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[2023.January]
マイナス150℃を実現、クライオICPエッチング装置「RIE-800iPLN」の紹介
2022年
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[2022.October]
ボッシュプロセスによるシリコンの深掘り技術
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[2022.July]
新型ALD装置「AD-800LP」の紹介
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[2022.April]
GaN系デバイス向けダイヤモンド基板の加工
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[2022.January]
電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH™」の販売を開始
2021年
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[2021.October]
ALD（Atomic Layer Deposition）装置によるHfO2、ZrO2の成膜
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[2021.July]
VHF帯（60MHz）を使用したSN-2-SiNx及びSi膜の成膜
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[2021.April]
次世代HCG-VCSELの加工技術
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[2021.January]
2周波CVD装置によるTEOS-SiO2成膜プロセスの安定性について
2020年
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[2020.October]
マイクロバンプへのAqua Plasmaの応用
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[2020.July]
GaNのトレンチ加工 角度制御
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[2020.April]
2周波CVD装置によるTEOS-SiO2膜の低温成膜
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[2020.January]
マイクロLED向けICPエッチングの加工例
2019年
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[2019.October]
接着剤や加熱を用いないCOP製マイクロ流体チップの実現
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[2019.July]
トレンチMOSFETのゲート形成に必要な成膜技術の紹介
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[2019.April]
パワーデバイス用GaNのトレンチ加工
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[2019.January]
トレンチ型SiC MOSFETの実現に向けた取り組み
2018年
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[2018.October]
Aqua Plasmaによる酸化銅の還元
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[2018.July]
液体原料を用いたタングステンのホール内埋め込み成膜
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[2018.April]
2周波を使用したSiNx、SiO2の成膜における応力制御性の向上
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[2018.January]
Aqua Plasmaによるマイクロ流体チップの常温接合
2017年
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[2017.October]
GaNエピタキシャル膜とALD薄膜の界面準位密度
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[2017.July]
逆テーパ加工基板を用いたGaN選択成長技術の紹介
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[2017.April]
ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データ
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[2017.January]
Aqua Plasma ～画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術～
2016年
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[2016.October]
窒化物のバルク基板への取り組み
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[2016.July]
Aqua PlasmaによるLEDパッケージの洗浄技術
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[2016.April]
原子層堆積（ALD）装置の開発 ～パワーデバイスアプリケーション～
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[2016.January]
ICPエッチング装置を用いたGaAsウェハのプラズマスクライビング技術紹介
2015年
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[2015.October]
PD-270STLCを用いた電子部品向けTEOS-SiO2成膜
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[2015.July]
TTIP(Titanium tetraisopropoxide)とTEOSを用いる広範囲な屈折率制御
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[2015.April]
LS-CVD技術を用いたSN-2/SiNxの成膜
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[2015.January]
量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』による深さ400μmの高アスペクト加工
2014年
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[2014.October]
多種多様な材料のプラズマダイシング ―メタル、樹脂付Siウエハーから化合物半導体まで―
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[2014.June]
MEMS向け本格量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』
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[2014.January]
SiCパワーデバイス向けドライエッチング装置 「RIE-600iP/iPC」 プロセスデータ
2013年
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[2013.October]
MEMS用途に最適なSiOC:H膜の特性
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[2013.June]
低スカロップ加工と平滑化プロセス（DRIE）
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[2013.January]
SiCパワーデバイス向け ＩＣＰエッチング装置 RIE-600iP
2012年
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[2012.October]
GaAsのプラズマダイシング及びスクライビング技術の紹介
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[2012.June]
研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB プロセスデータ
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[2012.April]
低地球温暖化係数ガスによるSiO2、SiNのエッチング
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[2012.January]
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
2011年
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[2011.October]
SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ
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[2011.June]
TSV絶縁膜形成用 プラズマCVD装置 PD-330STC
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[2011.April]
SiCパワーデバイスへの取り組み
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[2011.January]
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
2010年
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[2010.October]
化合物半導体のディープエッチング
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[2010.July]
TSV向け低温形成絶縁膜技術
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[2010.April]
化合物半導体プロセス用多数枚処理専用エッチング装置 RIE-330iP/iPCプロセスデータ
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[2010.January]
研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB
2009年
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[2009.October]
SAMCO One Stop Solutionの紹介
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[2009.July]
高速Boschプロセス専用ICPエッチング装置 RIE-800iPBプロセスデータ
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[2009.January]
化合物半導体プロセス用多数枚処理専用ICPエッチング装置 RIE-330iP/iPC
2008年
2007年
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[2007.October]
Properties of SiCN films prepared by Cathode Coupled PE-CVD Using Liquid Source Material
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[2007.June]
トルネードICPエッチング装置によるGaNの高精度加工