半導体に精密な凹凸を形成するための装置です。100nmから1000nm程度のごく細い幅で、深い溝を彫るなどの緻密な加工が可能です。
　薬液に浸けて加工を行うウェットエッチングに対して、プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと呼び、半導体の高集積化にドライエッチング装置の微細加工技術は必須の技術となっています。
　ドライエッチング装置の中でも、ガスに高周波をかけてプラズマ化し、イオンやラジカルで半導体を加工することを¹RIEと言います。RIEは日本語で反応性イオンエッチングと言い、当社ではRIE装置と、さらに微細な加工が可能な²ICP-RIE装置を製造しています。
　当社のドライエッチング装置は、半導体をより高性能化していくための研究用途や、LED製品の生産用途など、多くの現場でご使用頂いております。

¹ RIEとはReactive Ion Etching を省略した言葉で、日本語で反応性イオンエッチングと言います。
² ICPとはInductively Coupled Plasma を省略した言葉で、日本語で誘導結合プラズマと言います。

→サムコ株式会社のドライエッチング装置