当社は、プラズマの特性を応用して半導体の製造に活かしています。プラズマを利用して、半導体に薄膜を形成したり、微細加工を施します。
　まず、"プラズマCVD"についてご紹介します。基板の上に原料ガスを供給し、放電によって原料ガスをプラズマ化します。この反応で生成された物質を堆積させて薄膜を形成します。従来の熱処理製法に比べて低温で形成できるため、デリケートな基板をいたわることができます。そしてなおかつ、奥行きの深い複雑なものにも応用できる優れもの。これは、プラズマに含まれる中性励起粒子の活性を利用した先進技術です。
　次に、"プラズマドライエッチング"は、CVDの薄膜形成とは逆に、基板の表面をプラズマで削り取る技術です。表面を薬液で溶かす従来方法に比べて、クリーンで正確です。基板にイオンを衝突させてプラズマに含まれる物質と化学反応を促進させ、原子単位で削り取る化学的物理的エッチング技術で、精密なエッチング加工が可能になっています。
　最後が"プラズマクリーニング"です。基板の表面に付着している有機物をプラズマで処理する洗浄技術です。
　当社はこれらのプラズマ技術を中核にして半導体製造装置を製造しており、世界の産業科学の発展に貢献しています。