TSV(Through-Silicon Via)の製造工程、および各工程で使用するサムコの装置をご紹介します。
CMPによるSiの研磨
(Chemical Mechanical Polishing)
フォトリソグラフィー
貫通孔の形成
ボッシュプロセスによりSiをエッチングし貫通孔を形成
シリコン深掘り装置
側壁への絶縁膜形成
貫通孔の側壁にTEOS-SiO2絶縁膜を形成
液体ソースCVD®装置
下部電極露出
電極上のTEOS-SiO2を選択的に除去
RIE装置
バリア層の形成
TiNバリア層によりCuの拡散を防止
メッキによる
Cuプラグの形成
CMP
RIEによるCuプラグ出し
RIE装置
SiO2膜の形成
液体ソースCVD®装置
フォトリソグラフィー
SiO2膜のエッチング
RIE装置
サムコ製装置における
TSVの作製事例
埋め込み特性
SIPスパッタによるシードCu膜厚：310nmの導入とめっき条件の最適化により低温プラズマCVD膜を1.36μm形成後でも高アスベクト比ビア（～7）への銅の完全充填が可能 。
